英特爾推相變存儲(chǔ)器速度提升1000倍
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾日前表示,今年下半年將向設(shè)備制造商提供新一代相變存儲(chǔ)器樣品。
據(jù)英國(guó)媒體報(bào)道,新一代相變存儲(chǔ)器是一種非易失性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,它集DRAM存儲(chǔ)器的高速存取,以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體,因此被業(yè)界視為未來(lái)DRAM和閃存的替代品。
英特爾閃存部門首席技術(shù)官Ed Doller稱:“從理想的角度講,人們需要一種非易失性DRAM產(chǎn)品,而相變存儲(chǔ)器就十分接近于該目標(biāo)?!?
Doller還稱,相變存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度相當(dāng)于閃存的1000多倍,而能耗只有當(dāng)前閃存的1/2。目前,英特爾正與意法半導(dǎo)體攜手開(kāi)發(fā)相變存儲(chǔ)器。
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