2004年：數(shù)字應(yīng)用推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展

　　2004年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模仍然保持了高速增長(zhǎng)，但是由于價(jià)格降低，市場(chǎng)規(guī)模增速由2003年的48.2%降低為26.4%。由于中國(guó)消費(fèi)電子以及移動(dòng)電話產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)速度逐漸放緩，存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求也逐漸趨緩，2005年，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模增速將降低為16.2%，銷售額預(yù)計(jì)達(dá)到579.2億元，銷售量預(yù)計(jì)達(dá)到67.7億塊，較2004年增長(zhǎng)33.3%。

　　新興應(yīng)用拉動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求

　　隨著電子產(chǎn)品的功能日益豐富，成本效益佳、功耗低、密度高及外型小的存儲(chǔ)器產(chǎn)品的市場(chǎng)需求日益增加。

　　作為一種非易失性存儲(chǔ)器，F(xiàn)LASH為各種計(jì)算機(jī)應(yīng)用、移動(dòng)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備帶來(lái)了無(wú)可比擬的功能和好處。數(shù)碼相機(jī)是一種快速增長(zhǎng)的消費(fèi)類電子產(chǎn)品，與標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)算機(jī)用存儲(chǔ)器相比，數(shù)碼相機(jī)需要存儲(chǔ)器的體積更小，同時(shí)工作電流更低，每臺(tái)數(shù)碼相機(jī)需要128MB～256MB的存儲(chǔ)容量，而低功耗DDR存儲(chǔ)器則可為數(shù)碼相機(jī)廠商提供理想的解決方案。

　　隨著經(jīng)濟(jì)情況好轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)也有非凡發(fā)展。網(wǎng)絡(luò)傳輸速度不斷加快，網(wǎng)絡(luò)處理器對(duì)存儲(chǔ)器的性能和密度要求越來(lái)越高，以便迅速有效地進(jìn)行數(shù)據(jù)包處理。目前阻礙網(wǎng)絡(luò)處理器性能增長(zhǎng)的關(guān)鍵瓶頸在于存儲(chǔ)器的存取速度和密度，因此在下一代交換機(jī)和路由器設(shè)計(jì)中，為實(shí)現(xiàn)所需的數(shù)據(jù)傳輸速率、功耗及空間指標(biāo)，對(duì)存儲(chǔ)器的要求就相應(yīng)地大大提高，特別是在容量、帶寬和每引腳總線效率等幾個(gè)方面。

　　手機(jī)市場(chǎng)兩種FLASH競(jìng)爭(zhēng)加劇

　　2004年，隨著NANDFLASH廠商的加入，F(xiàn)LASH廠商之間為了爭(zhēng)奪手機(jī)市場(chǎng)而展開了更加激烈的競(jìng)爭(zhēng)。NORFLASH一直在手機(jī)中占有主導(dǎo)地位，目前大部分手機(jī)使用NORFLASH實(shí)現(xiàn)代碼存儲(chǔ)，同時(shí)采用SRAM或者PSRAM作為緩存或工作內(nèi)存，而NANDFLASH廠商提倡把NANDFLASH與SDRAM相結(jié)合。

　　NANDFLASH與NORFLASH相比，優(yōu)點(diǎn)在于NANDFLASH的最大容量可以達(dá)到幾個(gè)Gb，而NORFLASH的容量只有128Mb，這成為NANDFLASH將在手機(jī)市場(chǎng)中替換NORFLASH的重要因素。但是，當(dāng)用于modem端時(shí)，由于NAND不能隨機(jī)訪問(wèn)，所以需要使用大量DRAM，以供遮蔽(shadow)和運(yùn)行modem指令代碼，這樣就增加了功耗和延長(zhǎng)引導(dǎo)時(shí)間，另外，NAND在數(shù)據(jù)完整性方面也不如NOR可靠，這些缺點(diǎn)將導(dǎo)致成本上升。

　　業(yè)界專家之所以認(rèn)為NANDFLASH將替代NORFLASH，還有一個(gè)原因是NANDFLASH的單位比特成本加上其缺點(diǎn)導(dǎo)致的額外成本仍低于NORFLASH的單位比特成本。因此，Intel、AMD和Fujitsu等大型NORFLASH廠商面臨壓力，而Samsung、Toshiba和Renesas等NANDFLASH廠商的市場(chǎng)份額則在擴(kuò)大。


　　數(shù)字消費(fèi)和便攜式應(yīng)用是重點(diǎn)

　　2004年，存儲(chǔ)器廠商相應(yīng)推出適用于數(shù)字消費(fèi)和便攜式應(yīng)用的產(chǎn)品，如ElpidaMemory公司推出了系列適用于數(shù)字消費(fèi)應(yīng)用的高速DRAM器件；Toshiba將兩片4GbNANDFLASH以TSOP封裝在一起，推出8GbNANDFLASH，使FLASH體積更加小型化，同時(shí)為數(shù)字家電開辟了更強(qiáng)勁功能的應(yīng)用；Renesas開發(fā)出可減少誤碼率的SDRAM存儲(chǔ)單元和沒(méi)有軟錯(cuò)誤的SRAM，比較適于移動(dòng)應(yīng)用等。

　　同時(shí)，由于服務(wù)器對(duì)系統(tǒng)性能的高要求，DDR2在服務(wù)器應(yīng)用中將有更大市場(chǎng)，Hynix發(fā)布業(yè)界首款基于1Gb的2GbDDR2RDIMM，采用該產(chǎn)品能為用戶在高密度的DDR2服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中擴(kuò)大內(nèi)存容量。

　　2005年：移動(dòng)通信是主要驅(qū)動(dòng)力

　　DDR2產(chǎn)品價(jià)格將會(huì)不斷下降

　　隨著各個(gè)DRAM廠商DDR2新產(chǎn)品的不斷推出和Intel的5款支持DDR2芯片組的公布，顯示了半導(dǎo)體廠商對(duì)DDR2技術(shù)的明顯擁護(hù)，但是，DDR2成為市場(chǎng)主流還需要時(shí)日。

　　目前，DDR2產(chǎn)品的價(jià)格還很高，這是市場(chǎng)對(duì)DDR2產(chǎn)品持懷疑態(tài)度的主要原因。而DDR2產(chǎn)品價(jià)格偏高的主要因素有以下幾個(gè)方面：首先，因?yàn)镈DR2器件尺寸的增加，DDR2在每個(gè)晶圓上生產(chǎn)出的器件更少，而單個(gè)DDR2器件尺寸的增加也造成成本的提高；其次，DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測(cè)試，從而在產(chǎn)品生產(chǎn)和測(cè)試階段也增加了成本。

　　DDR2產(chǎn)品的推出和發(fā)展速度，在很大程度上依賴于業(yè)界何時(shí)出現(xiàn)數(shù)量可觀而工作穩(wěn)定的平臺(tái)?？紤]到現(xiàn)在的狀況，DDR和DDR2產(chǎn)品還必然會(huì)在市場(chǎng)上并存很長(zhǎng)一段時(shí)間。

　　SRAM的成長(zhǎng)將平穩(wěn)漸進(jìn)

　　針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)表現(xiàn)出了兩個(gè)很清晰的走向，一個(gè)是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，另一個(gè)是向低功耗性能演變以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用的需要。

　　2004年，手機(jī)等移動(dòng)終端市場(chǎng)對(duì)SRAM的需求約占總需求的50%左右，另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場(chǎng)所消化?？梢哉f(shuō)，目前移動(dòng)終端與通信領(lǐng)域仍然是SRAM市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力。

　　未來(lái)SRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)將是平穩(wěn)和漸進(jìn)的。這種特點(diǎn)與其所服務(wù)的市場(chǎng)屬性有關(guān)，更重要的一點(diǎn)是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競(jìng)爭(zhēng)性的DRAM技術(shù)的沖擊：在高速網(wǎng)絡(luò)方面，F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競(jìng)爭(zhēng)中快速成長(zhǎng)；在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域，諸如CellularRAM與MobileFCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨(dú)占的低功耗應(yīng)用的空間。

　　盡管SRAM在某些方面還有其難以替代的功能特性，但市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品在速度、存儲(chǔ)密度、功耗等方面綜合性的要求將繼續(xù)推進(jìn)那些SRAM替代技術(shù)的發(fā)展。

　　手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)容量需求將逐漸攀升

　　手機(jī)里的存儲(chǔ)器大多使用LPSRAM，因?yàn)镾RAM比DRAM省電，但是隨著未來(lái)手機(jī)、PDA等產(chǎn)品的分界線越來(lái)越模糊，手機(jī)上的功能也越來(lái)越多，這將使手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)器容量的需求也逐漸攀升。

　　在容量提升方面有所限制的LPSRAM將逐漸被淘汰。1TSRAM及LPDRAM在容量方面都比LPSRAM高，但就省電方面看，1TSRAM的頻率比LPDRAM低，消耗的電量也比較少，所以1TSRAM相對(duì)于LPDRAM在手機(jī)上使用的優(yōu)勢(shì)又相對(duì)較高。除了以1TSRAM或是LPDRAM來(lái)取代LPSRAM之外，廠商考慮到節(jié)省空間也會(huì)將LPSRAM及NORFLASH以多芯片封裝(MCP)的方式封裝成一個(gè)堆棧式內(nèi)存芯片。

　　未來(lái)，若是存儲(chǔ)器二線廠商打算進(jìn)入手機(jī)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)，最好先與提供手機(jī)用FLASH的國(guó)際大廠合作，這樣切入手機(jī)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的機(jī)會(huì)比較大。若選擇不與FLASH大廠合作，而采用二線廠商或用自產(chǎn)的FLASH芯片，則建議以低價(jià)策略取得與手機(jī)廠商合作的機(jī)會(huì)。

　　多芯片封裝產(chǎn)品將成市場(chǎng)主流

　　全球通信及消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，功能也日益進(jìn)入整合階段，對(duì)FLASH、DRAM容量的需求愈來(lái)愈高，而多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片，且生產(chǎn)前置時(shí)間短、制造成本低，具有低功耗特性、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)設(shè)內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格，另外數(shù)字電視、機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開始采用各式MCP產(chǎn)品。

　　預(yù)計(jì)2005年全球MCP需求量將達(dá)到4.2億塊。隨著各種便攜式信息裝置對(duì)存儲(chǔ)器特性需求的日益多元化，全球包括Samsung、Hynix、Intel等重量級(jí)IC廠商都紛紛看好此市場(chǎng)前景，競(jìng)相推出相關(guān)產(chǎn)品。