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infineon在APEC上推出第三代thinQ!SiC肖特基二極管

http://njchuangji.com 2015年09月19日        

近日,在應(yīng)用電源|穩(wěn)壓器電子大會(huì)暨展覽會(huì)(APEC)上infineon(英飛凌)科技股份有限公司推出第三代thinQ! SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容,可在高開(kāi)關(guān)頻率和輕負(fù)載條件下提升整個(gè)系統(tǒng)的效率,從而幫助降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。此外,英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列,不僅包括TO-220封裝(真正的雙管腳版本)產(chǎn)品,還包括面向高功率密度表面貼裝設(shè)計(jì)的DPAK封裝產(chǎn)品。

  SiC肖特基二極管的主要應(yīng)用領(lǐng)域是開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的有源功率因數(shù)校正(CCM PFC)和太陽(yáng)能逆變器與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等其他AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

  相對(duì)于第二代產(chǎn)品,英飛凌全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%,因此減少了開(kāi)關(guān)損耗。例如,工作頻率為250 kHz的1kW功率因數(shù)校正級(jí)在20%負(fù)載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開(kāi)關(guān)頻率允許使用成本更低、更小的無(wú)源組件(如電感和電容器),實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)。更低的功耗也降低了對(duì)散熱器和風(fēng)扇的尺寸和數(shù)量要求,從而降低系統(tǒng)成本,提高可靠性。英飛凌期望將某些SMPS應(yīng)用的系統(tǒng)成本降低20%。

  供貨、封裝與定價(jià)

  英飛凌第三代thinQ! SiC肖特基二極管提供采用TO-220和DPAK封裝的600V(3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A)產(chǎn)品和采用 TO-220封裝的1200V產(chǎn)品(2A、5A、8A、10A和 15 A)。產(chǎn)品樣品于2009年1月開(kāi)始提供,預(yù)計(jì)在2009年早春開(kāi)始批量生產(chǎn)。阻斷電壓為600V(3A)的第三代 SiC肖特基二極管在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)片時(shí)的單價(jià)為0.61歐元(0.85美元)。電流為4A的產(chǎn)品在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)片時(shí)的單價(jià)為0.85歐元(1.19美元),電流為8 A的產(chǎn)品在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)片時(shí)的單價(jià)為1.89歐元(2.65美元)。

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